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2SC1226A データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC1226A データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 5 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1226 2SC1226A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2 A 0.4 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2 A 1.5 V 2SC1226 40 V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage 2SC1226A IC=1mA;IE=0 50 V 2SC1226 32 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SC1226A IC=10mA; IB=0 40 V ICBO Collector cut-off current VCB=20V; IE=0 1 μA ICEO Collector cut-off current VCE=12V; IB=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 100 μA hFE DC current gain IC=1A ; VCE=5V 50 220 COB Output capacitance IE=0; VCB=5V;f=1MHz 50 pF fT Transition frequency IE=0.5A ; VCB=5V 150 MHz hFE classifications P Q R 50-100 80-160 100-220 |
同様の部品番号 - 2SC1226A |
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同様の説明 - 2SC1226A |
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