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2SC1368 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC1368 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1368 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA; IB=0 25 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=50μA; IE=0 25 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50μA; IB=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1.5A; IB=0.15A 0.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=25V; IE=0 1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1.0 μA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=2V 60 320 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=5V 180 MHz |
同様の部品番号 - 2SC1368 |
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同様の説明 - 2SC1368 |
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