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2SC1609 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC1609 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1609 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A; IB=0 120 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 6 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=10A;IB=1A 0.6 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=20A;IB=2A 1.2 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=20A;IB=2A 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=140V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=13A ; VCE=2V 20 100 hFE-2 DC current gain IC=20A ; VCE=4V 10 |
同様の部品番号 - 2SC1609 |
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同様の説明 - 2SC1609 |
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