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2SC3756 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC3756 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3756 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A ;IB=0 800 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=1A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=1A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=800V ;IE=0 10 μA ICES Collector cut-off current VCE=1500V; RBE=0 1.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V ;IC=0 10 μA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 36 hFE-2 DC current gain IC=4A ; VCE=5V 4 |
同様の部品番号 - 2SC3756 |
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同様の説明 - 2SC3756 |
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