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2SC4273 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC4273 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 4 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC4273 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specifie SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ; IE=0 500 V V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=0.2A ; IB=0 400 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ; IC=0 10 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.4A 0.8 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.4A 1.2 V ICBO Collector cut-off current VCB=450V ;IE=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=10V; IC=0 100 μA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 25 55 Switching times ton Turn-on time 1.0 μs tstg Storage time 2.5 μs tf Fall time VCC=200V; IC=2.5A IB1=0.25A;IB2=-0.5A; RL=60Ω 0.5 μs |
同様の部品番号 - 2SC4273 |
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同様の説明 - 2SC4273 |
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