データシートサーチシステム |
|
2SD1391 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SD1391 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1391 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA; IB=0 700 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.5A; IB=2A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4.5A; IB=2A 1.3 V VCB=750V; IE=0 50 μA ICBO Collector cut-off current VCB=1500V; IE=0 1.0 mA hFE DC current gain IC=3A ; VCE=10V 4 15 tf Fall time 1.0 μs ts Storage time IC=4A IBend=1.5A,LB=10μH 11 μs |
同様の部品番号 - 2SD1391 |
|
同様の説明 - 2SD1391 |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |