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2SD1425 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD1425 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1425 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=200mA; IC=0 5 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.6A 8.0 V VBE(sat) Base-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.6A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=500V; IE=0 10 μA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 8 fT Transition freuqency IC=0.1A ; VCE=10V;f=1MHz 3 MHz COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1.0MHz 95 pF VF Diode forward voltage IF=2.5A 2.0 V tf Fall time IC=2A;IB1=0.6A 1.0 μs |
同様の部品番号 - 2SD1425 |
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同様の説明 - 2SD1425 |
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