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BU426 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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BU426 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BU426 BU426A CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT BU426 375 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BU426A IC=100mA; IB=0 400 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=2.5A; IB=0.5A 1.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=4A; IB=1.25A 3.0 V VBEsat-1 Base-emitter saturation voltage IC=2.5A; IB=0.5A 1.4 V VBEsat-2 Base-emitter saturation voltage IC=4A; IB=1.25A 1.6 V BU426 VCE=800V ;VBE=0 TC=125 1.0 2.0 ICES Collector cut-off current BU426A VCE=900V ;VBE=0 TC=125 1.0 2.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=10V; IC=0 10 mA hFE DC current gain IC=0.6A ; VCE=5V 30 60 Switching times ton Turn-on time IC=2.5A ; VCC=250V IB1=0.5A 0.5 µs tstg Storage time 3.5 µs tf Fall time IC=2.5A ; VCC=250V IB1=0.5A; IB2=-1A 0.5 µs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-c Thermal resistance from junction to case 1.1 /W |
同様の部品番号 - BU426 |
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同様の説明 - BU426 |
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