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2SD1175 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1175 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1175 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=500mA; IC=0; 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A 1.5 V VCB=750V;IE=0 50 µA ICBO Collector cut-off current VCB=1500V;IE=0 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 10 30 hFE-2 DC current gain IC=4A ; VCE=10V 5 VF Diode forward voltage IF=4A 2.5 V |
同様の部品番号 - 2SD1175 |
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同様の説明 - 2SD1175 |
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