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2SC2335 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC2335 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 4 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(SUS)CEO Collector-emitter sustaining voltage IC=3.0A ; IB1=0.6A,L=1mH 400 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.2 V ICBO Collector cut-off current VCB=400V ;IE=0 10 µA ICEX Collector cut-off current VCE=400V ;VBE(off)=-1.5V TC=125 10 5.0 µA mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 10 µA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 20 80 hFE-2 DC current gain IC=1.0A ; VCE=5V 20 80 hFE-3 DC current gain IC=3.0A ; VCE=5V 10 Switching times ton Turn-on time 1.0 µs tstg Storage time 2.5 µs tf Fall time VCC=150V;IC=3.0A; IB1=-IB2=600mA; RL=50E 1.0 µs hFE-2 Classifications M L K 20-40 30-60 40-80 |
同様の部品番号 - 2SC2335 |
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同様の説明 - 2SC2335 |
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