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2SD1712 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1712 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1712 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A ;IB=0.3A 2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=3A ; VCE=5V 1.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=100V; IE=0 50 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=3V; IC=0 50 µA hFE-1 DC current gain IC=20mA ; VCE=5V 20 hFE -2 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 60 200 hFE -3 DC current gain IC=3A ; VCE=5V 20 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 70 pF fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=5V 20 MHz hFE-2 classifications Q S P 60-120 80-60 100-200 |
同様の部品番号 - 2SD1712 |
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同様の説明 - 2SD1712 |
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