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2SC3152 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC3152 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 4 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3152 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=5mA ;RBE=< 800 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ;IE=0 900 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1.5A ;IB=0.3A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=1.5A;IB=0.3A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=800V; IE=0 10 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 10 µA hFE-1 DC current gain IC=0.2A ; VCE=5V 10 40 hFE -2 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 60 pF fT Transition frequency IC=0.2A ; VCE=10V 15 MHz Switching times ton Turn-on time 1.0 µs ts Storage time 3.0 µs tf Fall time IC=2A;IB1=0.4A;IB2=-0.8A RL=20E,VCC=400V 0.7 µs hFE-1 classifications K L M 10-20 15-30 20-40 |
同様の部品番号 - 2SC3152 |
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同様の説明 - 2SC3152 |
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