データシートサーチシステム |
|
2SC3387 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
|
2SC3387 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3387 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0 500 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=0.8A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=0.8A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=800V; IE=0 10 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 10 µA hFE DC current gain IC=0.3A ; VCE=5V 15 |
同様の部品番号 - 2SC3387 |
|
同様の説明 - 2SC3387 |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |