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2SD2025 データシート(Datasheet) 2 Page - Savantic, Inc.

部品番号. 2SD2025
部品情報  Silicon NPN Power Transistors
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メーカー  SAVANTIC [Savantic, Inc.]
ホームページ  http://www.svntc.com
Logo 

   
 2 page
background image
SavantIC Semiconductor
Product Specification
2
Silicon NPN Power Transistors
2SD2025
CHARACTERISTICS
Tj=25
unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V(BR)CEO
Collector-emitter breakdown voltage
IC=5mA; IB=0
100
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown voltage
IC=50µA; IE=0
100
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=3A ;IB=6mA
1.5
V
ICBO
Collector cut-off current
VCB=100V; IE=0
10
µA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
3.0
mA
hFE
DC current gain
IC=2A ; VCE=3V
1000
20000
fT
Transition frequency
IC=0.2A ; VCE=5V
40
MHz
COB
Output capacitance
IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz
50
pF




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関連電子部品番号

部品番号コンポーネントの説明Html Viewメーカー
2N6059_03SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 1 2 3 4 STMicroelectronics
RJK6014DPPSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 1 2 3 4 Renesas Technology Corp
TIP29Cisc Silicon NPN Power Transistors 1 2 Inchange Semiconductor Company Limited
MJE5180isc Silicon NPN Power Transistors 1 2 Inchange Semiconductor Company Limited
BUX16isc Silicon NPN Power Transistors 1 2 Inchange Semiconductor Company Limited

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