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2SA1010 データシート(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SA1010 データシート(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 5 page Product Specification www.jmnic.com JMnic Silicon PNP Power Transistors 2SA1010 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=-5.0A ,IB=-0.5A,L=1mH -100 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A -0.6 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-100V; IE=0 -10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -10 μA hFE-1 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-5V 40 200 hFE-2 DC current gain IC=-3A ; VCE=-5V 40 200 hFE-3 DC current gain IC=-5A ; VCE=-5V 20 Switching times resistive load ton Turn-on time 0.5 μs ts Storage time 1.5 μs tf Fall time IC=-5.0A IB1=- IB2=-0.5A RL=10Ω;VCC≈50V 0.5 μs hFE-2 Classifications M L K 40-80 60-120 100-200 |
同様の部品番号 - 2SA1010 |
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同様の説明 - 2SA1010 |
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