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ST2301MSRG データシート(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
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ST2301MSRG データシート(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page ST2301M P Channel Enhancement Mode MOSFET -3.0A 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST2301M 2007. V1 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA -20 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA -0.48 -1.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±12V ± 100 nA VDS=-20V,VGS=0V -1 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-20V,VGS=0V TJ=55℃ -10 uA On-State Drain Current ID(on) VDS≦-5V,VGS=-4.5V VDS≦-5V,VGS=-2.5V -6 -3 A Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=-4.5V,ID=-2.8A VGS=-2.5V,ID=-2.0A 0.135 0.220 Ω Forward Transconductance gfs VDS=-5V,ID=-2.8V 6.5 S Diode Forward Voltage VSD IS=-1.6A,VGS=0V -0.8 -1.2 V Dynamic Total Gate Charge Qg 4.8 8 Gate-Source Charge Qgs 0.75 Gate-Drain Charge Qgd VDS=-6V VGS=-4.5V ID≣-2.8A 1.4 nC Input Capacitance Ciss 35 Output Capacitance Coss 150 Reverse Transfer Capacitance Crss VDS=-6V VGS=0V F=1MHz 60 pF 10 20 Turn-On Time td(on) tr 32 45 38 55 Turn-Off Time td(off) tf VDD=-6V RL=6Ω ID=-1A VGEN=-4.5V RG=6Ω 30 50 nS |
同様の部品番号 - ST2301MSRG |
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同様の説明 - ST2301MSRG |
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