IXZ318N50 datasheet(3/4 Pages) IXYS

部品番号	IXZ318N50

部品情報	Z-MOS RF Power MOSFET

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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IXZ318N50

Z-MOS RF Power MOSFET

VDS vs. Capacitance

1

10

100

1000

10000

0

50

100

150

200

250

300

350

400

VDS Voltage (V)

Fig. 3

Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage

V

DS = 250V , ID = 9.5A, IG = 3m A

0

2

4

6

8

10

12

14

16

0

20

40

60

80

Gate Charge (nC)

Fig. 1

Fig. 2

Typical Transfer Characteristics

V

DS = 50V , P.W. = 20 S

0

10

20

30

40

50

60

70

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

VGS, Gate-to Source Voltage (V)

Typical Output Characteristics

0

5

10

15

20

25

30

35

0

25

50

75

100

125

V

DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Extended Typical Output Characteristics

0

20

40

60

80

100

0

20

40

60

80

100

120

V

DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig. 4

Fig. 5

Ciss

Coss

Crss

Top

12V - 15V

10V

9V

8.5V

8V

7.5V

7V

Bottom

6.5V

7V

7.5V

8V

8.5V

9V - 15V

同様の部品番号 - IXZ318N50

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXZ318N50	803Kb / 7P	IXZ318N50 MOSFET and IXRFD631 Gate Driver Module

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同様の説明 - IXZ318N50

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXZR08N120	165Kb / 4P	Z-MOS RF Power MOSFET
	IXZR18N50	166Kb / 4P	Z-MOS RF Power MOSFET
	IXZR16N60	169Kb / 4P	Z-MOS RF Power MOSFET
	IXZ316N60	142Kb / 4P	Z-MOS RF Power MOSFET
	IXZ308N120	149Kb / 3P	Z-MOS RF Power MOSFET
Mitsubishi Electric Sem...	2SK2973	37Kb / 3P	RF POWER MOS FET
	RD15HVF1	408Kb / 9P	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W
	RD06HHF1	314Kb / 8P	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W
	RD16HHF1	314Kb / 8P	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W
	RD06HVF1	421Kb / 8P	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W