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BC856AW データシート(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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BC856AW データシート(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 10 page 2002 Feb 04 3 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose transistors BC856W; BC857W; BC858W LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 60134). Note 1. Refer to SOT323 standard mounting conditions. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOT323 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter BC856W − −80 V BC857W − −50 V BC858W − −30 V VCEO collector-emitter voltage open base BC856W − −65 V BC857W − −45 V BC858W − −30 V VEBO emitter-base voltage open collector − −5 V IC collector current (DC) − −100 mA ICM peak collector current − −200 mA IBM peak base current − −200 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient in free air; note 1 625 K/W |
同様の部品番号 - BC856AW |
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同様の説明 - BC856AW |
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