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BC846BDW1T1D データシート(PDF) 6 Page - ON Semiconductor |
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BC846BDW1T1D データシート(HTML) 6 Page - ON Semiconductor |
6 / 10 page BC846BDW1T1G, BC847BDW1T1G, BC848CDW1T1G http://onsemi.com 6 TYPICAL CHARACTERISTICS − BC847BDW1T1G 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00 1.10 1.20 0.0001 0.001 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (A) Figure 18. VBE(on) at VCE = 5 V VCE = 5 V 150°C 25°C −55°C 10 100 1000 0.1 1 10 100 IC, COLLECTOR CURRENT (A) Figure 19. Current − Gain − Bandwidth Product VCE = 10 V TA = 25°C 1 10 0.1 1 10 100 VR, REVERSE VOLTAGE (V) Figure 20. Capacitances Cob Cib TA = 25°C 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 0.01 0.1 1 10 100 IC = 20 mA IC = 50 mA IC = 100 mA TA = 25°C IB, BASE CURRENT (mA) Figure 21. Collector Saturation Region IC = 10 mA 0.1 1 10 100 IB, BASE CURRENT (mA) Figure 22. Base−Emitter Temperature Coefficient −55°C to 150°C qVB, for VBE −0.2 −0.6 −1 −1.4 −1.8 −2.2 −2.6 −3 VCE = 5 V |
同様の部品番号 - BC846BDW1T1D |
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同様の説明 - BC846BDW1T1D |
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