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2SD1410A データシート(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
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3 / 4 page 2SD1410A 2009-12-21 3 Collector −emitter voltage VCE (V) Collector −emitter voltage VCE (V) IC – VCE Collector current IC (A) hFE – IC Safe operating area 10000 0.03 0.3 1 10 300 3000 5000 0.1 500 Common emitter VCE = 2 V 1000 100 25 −55 Tc = 100°C 3 Collector current IC (A) VBE (sat) – IC Collector current IC (A) VCE (sat) – IC 0.05 10 Common emitter IC/IB = 100 1 10 5 0.2 1 25 100 Tc = −55°C 3 0.5 0.1 0.3 3 0 0 Common emitter Tc = 25°C IB = 0.2 mA 6 2 3 4 5 1 2 3 4 8 1 20 10 0.5 2 1 0 5 6 7 7 5 3 0.05 3 10 30 100 0.01 IC max (Pulse)* IC max DC operation (Tc = 25°C) 500 μs* 1 ms* VCEO max 300 0.3 0.5 1 5 10 20 0.03 0.1 (Continuous) 10 ms* 100 ms* 0.05 10 Common emitter IC/IB = 100 1 10 5 0.2 1 25 100 Tc = −55°C 3 0.5 0.1 0.3 3 *: Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C Curves must be derated linearly with increase in temperature. |
同様の部品番号 - 2SD1410A_09 |
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同様の説明 - 2SD1410A_09 |
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