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2SD1060L-X-TN3-R データシート(PDF) 4 Page - Unisonic Technologies |
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2SD1060L-X-TN3-R データシート(HTML) 4 Page - Unisonic Technologies |
4 / 5 page 2SD1060 NPN SILICON TRANSISTOR UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 4 of 5 www.unisonic.com.tw QW-R208-023.C TYPICAL CHARACTERISTICS Collector Current vs. Collector-to-Emitter Voltage Collector-to-Emitter Voltage, VCE (V) 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 0 2 4 6 8 10 50mA 100mA 150mA Collector Current vs. Base-to-Emitter Voltage Base-to-Emitter Voltage, VBE (V) 0 0.2 0.4 0.6 1.0 1.2 1.4 0 2 4 6 8 10 VCE=2V 0.8 9 7 5 3 1 IB=0 30 0m A 25 0m A 200mA 450mA 40 0m A 35 0m A Ta =8 0 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current Collector Current, IC (A) 0.1 0.01 10 5 2 0.1 5 3 2 23 5 2 3 5 1.0 10 23 5 2 IC/IB=20 Ta =8 0 25℃ -20℃ 5 3 2 1.0 3 Base-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current Collector Current, IC (A) 0.1 10 5 2 1.0 5 3 2 23 5 2 3 5 1.0 10 23 5 2 IC/IB=10 3 7 7 IC/IB=20 |
同様の部品番号 - 2SD1060L-X-TN3-R |
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同様の説明 - 2SD1060L-X-TN3-R |
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