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2SC4468 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC4468 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 4 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC4468 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA ;IB=0 140 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 0.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=200V; IE=0 10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 10 μA hFE DC current gain IC=3A ; VCE=4V 50 180 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz 250 pF fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=12V 20 MHz Switching times ton Turn-on time 0.24 μs ts Storage time 4.32 μs tf Fall time IC=5A;RL=12Ω IB1=- IB2=0.5A VCC=60V 0.40 μs hFE Classifications O P Y 50-100 70-140 90-180 |
同様の部品番号 - 2SC4468 |
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同様の説明 - 2SC4468 |
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