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2SD1487 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD1487 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1487 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A B 2.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 5A; VCE= 5V 1.8 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 140V; IE= 0 50 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 3V; IC= 0 50 μA hFE-1 DC Current Gain IC= 20mA; VCE= 5V 20 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 40 200 hFE-3 DC Current Gain IC= 5A; VCE= 5V 20 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; f= 1.0MHz 330 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 5V 20 MHz hFE-2 Classifications R Q P 40-80 60-120 100-200 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
同様の部品番号 - 2SD1487 |
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同様の説明 - 2SD1487 |
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