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BD226 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 BD226
部品情報  isc Silicon NPN Power Transistor
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

BD226 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
BD226/228/230
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
BD226
45
BD228
60
VCEO(SUS)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
BD230
IC= 100mA ; IB= 0
80
V
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 1A; IB= 0.1A
B
0.8
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC= 1A; VCE= 2V
1.3
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB= 30V; IE= 0
VCB= 30V; IE= 0,TC=125℃
0.1
10
μA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= 5V; IC=0
10
μA
hFE-1
DC Current Gain
IC= 5mA ; VCE= 2V
25
hFE-2
DC Current Gain
IC= 1A ; VCE= 2V
25
hFE-3
DC Current Gain
IC= 0.15A ; VCE= 2V
40
250
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
IC= 50mA ; VCE= 5V
125
MHz
isc Website：www.iscsemi.cn
2


同様の部品番号 - BD226

メーカー部品番号データシート部品情報
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New Jersey Semi-Conduct...		 BD226 NJSEMI-BD226 Datasheet
134Kb / 2P		    Silicon NPN Power Transistor
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Rohm		 BD22621G-M ROHM-BD22621G-M Datasheet
1Mb / 26P		    0.3A Current Limit High Side Switch ICs
2.Nov.2016 Rev.001
BD22621G-MTR ROHM-BD22621G-MTR Datasheet
1Mb / 26P		    0.3A Current Limit High Side Switch ICs
2.Nov.2016 Rev.001
BD2262G-M ROHM-BD2262G-M Datasheet
615Kb / 37P		    Current Limit High Side Switch ICs
03.Feb.2014 Rev.001
BD2262G-MGTR ROHM-BD2262G-MGTR Datasheet
616Kb / 37P		    Current Limit High Side Switch ICs
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メーカー部品番号データシート部品情報
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156Kb / 2P		    isc Silicon NPN Power Transistor
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