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FC40SA50FKP データシート(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
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5 / 10 page Document Number: 94542 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com Revision: 12-May-10 DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com 5 FC40SA50FKP Power MOSFET, 40 A Vishay Semiconductors Fig. 10b - Switching Time Waveforms Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case Fig. 12a - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current Fig. 12b - Unclamped Inductive Test Circuit 10 % V GS t d(on) t r t d(off) t f V DS 90 % 0.001 0.010 0.100 1.000 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1, Rectangular Pulse Duration (s) SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) 0.01 0.02 0.05 0.10 0.30 D = 0.50 Notes: 1. Duty factor D = t1/t2 2. Peak TJ=PDM x ZthJC + TC Ri (°C/W) τi (sec) 0.161 0.000759 0.210 0.017991 0.147 0.06094 J J 1 1 2 2 3 3 R 1 R 1 R 2 R 2 R 3 R 3 C Ci i Ri Ci= i Ri 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 25 50 75 100 125 150 S tarting TJ, Junc tion Tem perature (°C) I D ... TOP 18A 26A BOTTOM 40A 0.01 Ω D.U.T L + - Driver A 15 V 20 V R G V DS I AS t p V DD |
同様の部品番号 - FC40SA50FKP |
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同様の説明 - FC40SA50FKP |
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