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BDW48 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BDW48 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW48 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -30mA; IB= 0 -120 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -10mA B -2.0 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10A; IB= -50mA -3.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -10A ; VCE= -4V -3.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -120V; IE= 0 -1.0 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= -60V; IB= 0 B -2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -5A ; VCE= -4V 1000 hFE-2 DC Current Gain IC= -10A ; VCE= -4V 250 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -3A; VCE= -3V; ftest= 1MHz 4 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; ftest= 0.1MHz 300 pF isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
同様の部品番号 - BDW48 |
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同様の説明 - BDW48 |
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