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BUV39 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BUV39 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV39 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.2A; IB= 0; L= 25mH 90 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50mA; IC= 0 7 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 7.5A; IB= 0.375A 0.8 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 15A ;IB= 1.5A 0.9 V VCE(sat)-3 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 20A ;IB= 2.5A 1.2 V VBE(sat)-1 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 15A ;IB= 1.5A 1.7 V VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 20A ;IB= 2.5A 1.9 V ICER Collector Cutoff Current VCE= 160V;RBE= 10Ω VCE= 160V;RBE= 10Ω;TC=100℃ 1.0 5.0 mA ICEV Collector Cutoff Current VCE= 160V;VBE= -1.5V VCE= 160V;VBE= -1.5V;TC=100℃ 1.0 5.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1.0 mA Switching Times, Resistive Load tr Rise Time 1.1 μs ts Storage Time 1.0 μs tf Fall Time IC= 20A; IB1= 2.5A; VCC= 72V; RB2= 1Ω; VBB= -5V, tp= 30μs 0.25 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
同様の部品番号 - BUV39 |
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同様の説明 - BUV39 |
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