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IRF510S データシート(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix

部品番号. IRF510S
部品情報  Power MOSFET
ダウンロード  9 Pages
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メーカー  VISHAY [Vishay Siliconix]
ホームページ  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

IRF510S Datasheet(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix

  IRF510S データシート HTML 1Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 2Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 3Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 4Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 5Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 6Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 7Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 8Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 9Page - Vishay Siliconix  
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Document Number: 91016
www.vishay.com
S11-1044-Rev. C, 30-May-11
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, TC = 175 °C
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
20 µs Pulse Width
T
C = 25 °C
4.5 V
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
101
Bottom
Top
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
100
10-1
100
101
91016_01
101
100
10-1
100
101
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
4.5 V
Bottom
Top
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
20 µs Pulse Width
T
C = 175 °C
91016_02
20 µs Pulse Width
V
DS = 50 V
101
100
10-1
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
56
7
8
9
10
4
25
°C
175
°C
91016_03
I
D = 5.6 A
V
GS = 10 V
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
180
91016_04


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