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IRF510S データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix

部品番号. IRF510S
部品情報  Power MOSFET
ダウンロード  9 Pages
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メーカー  VISHAY [Vishay Siliconix]
ホームページ  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

IRF510S Datasheet(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix

  IRF510S データシート HTML 1Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 2Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 3Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 4Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 5Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 6Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 7Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 8Page - Vishay Siliconix IRF510S データシート HTML 9Page - Vishay Siliconix  
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www.vishay.com
Document Number: 91016
4
S11-1044-Rev. C, 30-May-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
400
320
240
160
0
80
100
101
V
GS = 0 V, f = 1 MHz
C
iss = Cgs + Cgd, Cds Shorted
C
rss = Cgd
C
oss = Cds + Cgd
C
iss
C
rss
C
oss
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
91016_05
20
16
12
8
0
4
02
8
6
4
I
D = 5.6 A
V
DS = 20 V
For test circuit
see figure 13
10
V
DS = 50 V
V
DS = 80 V
QG, Total Gate Charge (nC)
91016_06
25
°C
175
°C
V
GS = 0 V
10-1
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.5
0.9
0.8
0.7
0.6
1.0
1.2
1.1
91016_07
100 µs
1 ms
10 ms
Operation in this area limited
by R
DS(on)
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
T
C = 25 °C
T
J = 175 °C
Single Pulse
0.1
102
2
5
1
2
5
10
2
5
25
1
10
25
102
25
103
91016_08


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