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SI1926DL データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI1926DL データシート(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 11 page www.vishay.com 4 Document Number: 73684 S10-0792-Rev. D, 05-Apr-10 Vishay Siliconix Si1926DL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 1 10 100 1000 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) TA = 150 °C TA = 25 °C 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) RDS(on) vs. VGS vs. Temperature Single Pulse Power 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 34567 8 9 10 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C ID = 0.5 A 0 3 5 1 2 Time (s) 4 1 100 600 10 10-1 10 -2 10-3 Safe Operating Area 10 s TA = 25 °C Single Pulse DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified 0.001 0.01 0.1 1 0.1 1 10 100 Limited by R * DS(on) 1 s 100 ms 10 ms BVDSS Limited |
同様の部品番号 - SI1926DL_10 |
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同様の説明 - SI1926DL_10 |
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