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SI4866BDY-T1-E3 データシート(Datasheet) 4 Page - Vishay Siliconix

部品番号. SI4866BDY-T1-E3
部品情報  N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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メーカー  VISHAY [Vishay Siliconix]
ホームページ  http://www.vishay.com
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 4 page
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www.vishay.com
4
Document Number: 70341
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
Vishay Siliconix
Si4866BDY
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
1
0.01
0.001
0.1
10
100
25 °C
150 °C
- 0.5
- 0.3
- 0.1
0.1
0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 250 µA
TJ - Temperature (°C)
ID = 5 mA
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
012345
ID = 12 A
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
25 °C
125 °C
0.001
0
1
200
80
120
10
0.01
Time (s)
40
160
0.1
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
0.01
100
1
100
0.01
0.1
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
* VGS
minimum VGS at which RDS(on) is specified
1 ms
10 ms
100 ms
DC
10 s
0.1
1
10
10
TA = 25 °C
Single Pulse
1 s
Limited by RDS(on)*




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