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SI7852ADP データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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4 / 13 page www.vishay.com 4 Document Number: 73988 S09-0223-Rev. C, 09-Feb-09 Vishay Siliconix Si7852ADP TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 1 0.01 0.001 0.1 10 100 TJ = 25 °C TJ = 150 °C - 1.4 - 1.1 - 0.8 - 0.5 - 0.2 0.1 0.4 0.7 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) ID =5mA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 4.0 5.2 6.4 7.6 8.8 10.0 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C ID =10A 0 40 80 120 160 200 0 1 1 1 0 0 . 00.01 Time (s) 0.1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 100 1 100 0.01 0.1 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 1ms 10 ms 100 ms DC 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse Limited byRDS(on)* 1s 10 s |
同様の部品番号 - SI7852ADP |
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同様の説明 - SI7852ADP |
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