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SIZ702DT-T1-GE3 データシート(Datasheet) 10 Page - Vishay Siliconix

部品番号. SIZ702DT-T1-GE3
部品情報  N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
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メーカー  VISHAY [Vishay Siliconix]
ホームページ  http://www.vishay.com
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 10 page
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www.vishay.com
10
Document Number: 65525
S09-2266-Rev. A, 02-Nov-09
Vishay Siliconix
SiZ702DT
New Product
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
* The power dissipation PD is based on TJ(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Current Derating*
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
Package Limited
TC - Case Temperature (°C)
Power, Junction-to-Case
0
5
10
15
20
25
30
25
50
75
100
125
150
TC - Case Temperature (°C)




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