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SIZ710DT-T1-GE3 データシート(Datasheet) 5 Page - Vishay Siliconix

部品番号. SIZ710DT-T1-GE3
部品情報  N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs
ダウンロード  14 Pages
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メーカー  VISHAY [Vishay Siliconix]
ホームページ  http://www.vishay.com
Logo 

 
 5 page
background image
Document Number: 65733
S10-2248-Rev. A, 04-Oct-10
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
SiZ710DT
New Product
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
1
100
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 250 μA
TJ - Temperature (°C)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power
0.0000
0.0025
0.0050
0.0075
0.0100
0.0125
0.0150
0.0175
0.0200
02
4
6
8
10
TJ =25 °C
ID =19A
TJ = 125 °C
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
Time (s)
10
1000
0.1
0.01
0.001
100
1
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
0.1
TA =25 °C
Single Pulse
100 ms
Limited by RDS(on)*
BVDSS Limited
1ms
100 μs
10 ms
1s
10 s
DC
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified




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