TSHG6200_09 datasheet(4/5 Pages) VISHAY

部品番号	TSHG6200

部品情報	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero

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メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 81078

4

Rev. 1.7, 29-Jun-09

TSHG6200

Vishay Semiconductors High Speed Infrared Emitting Diode,

850 nm, GaAlAs Double Hetero

PACKAGE DIMENSIONS in millimeters

0.5

+ 0.15

- 0.05

5 ± 0.15

Area not plane

technical drawings

according to DIN

specifications

6.544-5259.02-4

Issue: 8; 19.05.09

95 10917

2.54 nom.

0.5

+ 0.15

- 0.05

A

C

0.6

+ 0.2

- 0.1

R 2.49 (sphere)

同様の部品番号 - TSHG6200_09

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	TSHG6200	116Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.6, 04-Dec-07

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同様の説明 - TSHG6200_09

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	TSHG6410	103Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.2, 08-Jul-09
	TSHG6200	116Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.6, 04-Dec-07
	TSHG5410	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero
	TSHG6200	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 01-Jan-2022
	TSHG5210	107Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 01-Jan-2023
	TSHG6410	112Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 01-Jan-2023
	TSHG5210	113Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.2, 25-Jun-09
	TSHG6210	112Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.2, 25-Jun-09
	VSMG3700	127Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.4, 06-Oct-10
	TSHG6400	103Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.1, 29-Jun-09
	TSHG6400	106Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Rev. 1.2, 23-Aug-11

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TSHG6200 データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix

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