データシートサーチシステム |
|
BUP602D データシート(PDF) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUP602D データシート(HTML) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
4 / 9 page Semiconductor Group 4 Jul-31-1996 BUP 602D Power dissipation P tot = ƒ(TC) parameter: Tj ≤ 150 °C 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 20 40 60 80 100 120 W 160 P tot Collector current I C = ƒ(TC) parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 4 8 12 16 20 24 28 A 36 I C Safe operating area I C = ƒ(VCE) parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C -1 10 0 10 1 10 2 10 A I C 10 0 10 1 10 2 10 3 V V CE DC 10 ms 1 ms 100 µs t p = 17.0µs Transient thermal impedance IGBT Z th JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T -3 10 -2 10 -1 10 0 10 K/W Z thJC 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s t p single pulse 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 D = 0.50 |
同様の部品番号 - BUP602D |
|
同様の説明 - BUP602D |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |