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BUZ102SL データシート(PDF) 6 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ102SL データシート(HTML) 6 Page - Siemens Semiconductor Group |
6 / 8 page Semiconductor Group 6 30/Jan/1998 BUZ 102 SL SPP47N05L Typ. output characteristics ID = ƒ(VDS) parameter: tp = 80 µs , Tj = 25 °C 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0 V DS 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 A 110 I D V GS [V] a a 2.5 b b 3.0 c c 3.5 d d 4.0 e e 4.5 f f 5.0 g g 5.5 h h 6.0 i i 6.5 j j 7.0 k k 8.0 l Ptot = 120W l 10.0 Typ. drain-source on-resistance RDS (on) = ƒ(ID) parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C 0 10 20 30 40 50 60 70 80 A 100 I D 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 Ω 0.09 R DS (on) VGS [V] = a 2.5 VGS [V] = a a 3.0 b b 3.5 c c 4.0 d d 4.5 e e 5.0 f f 5.5 g g 6.0 h h 6.5 i i 7.0 j j 8.0 k k 10.0 Typ. transfer characteristics ID = f (VGS) parameter: tp = 80 µs VDS≥2 x ID x RDS(on)max 0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10 V GS 0 10 20 30 40 50 60 70 80 A 100 I D |
同様の部品番号 - BUZ102SL |
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同様の説明 - BUZ102SL |
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