BUZ104SL datasheet(8/8 Pages) SIEMENS

部品番号	BUZ104SL

部品情報	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175째C operating temperature)

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メーカー	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

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Semiconductor Group

8

29/Jan/1998

BUZ 104 SL

SPP13N05L

Avalanche energy EAS = f (Tj)

parameter:ID=12.5 A,VDD =25 V

RGS =25 Ω , L = 666 µH

20

40

60

80

100

120

140

°C

180

T

j

0

10

20

30

40

mJ

60

E

AS

Typ. gate charge

VGS = ƒ(QGate)

parameter: ID puls = 12 A

0

2

4

6

8

10

12

14

16

nC

20

Q

Gate

0

2

4

6

8

10

12

V

16

V

GS

DS max

V

0,8

DS max

V

0,2

Drain-source breakdown voltage

V

(BR)DSS = ƒ(Tj)

-60

-20

20

60

100

°C

180

T

j

49

51

53

55

57

59

61

V

65

V

(BR)DSS

同様の部品番号 - BUZ104SL

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Siemens Semiconductor G...	BUZ104SL-4	90Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated)

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	BUZ111SL	120Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ110SL	121Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ102SL	120Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
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	BUZ100S	126Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ102S	123Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ111S	121Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)

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