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BXY42BA-6 データシート(PDF) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BXY42BA-6 データシート(HTML) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
2 / 2 page BXY 42BA-6 BXY 42BA-6 Electrical Characteristics at TA = 25 ˚C, unless otherwise specified. Unit Values Parameter Symbol min. typ. max. V Breakdown voltage IR = 10 µA V(BR) 50 – – nA Reverse current VR = 40 V IR ––5 ns Storage time IF = 10 mA, VR = 10 V ts –4– pF Diode capacitance VR = 20 V, f = 1 MHz CT – – 0.34 Ω Forward resistance f = 100 MHz, IF = 10 mA rf – 1.5 – ns Charge carrier life time IF = 10 mA, IR = 6 mA τL –40 – |
同様の部品番号 - BXY42BA-6 |
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同様の説明 - BXY42BA-6 |
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