データシートサーチシステム |
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ST2318SRG データシート(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
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ST2318SRG データシート(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 7 page ST2318SRG N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.9A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST2318SRG 2009. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS 40 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Continuous Drain CurrentTJ=150℃) TA=25℃ TA=70℃ ID 3.9 3.0 A Pulsed Drain Current IDM 10 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS 1.20 A Power Dissipation TA=25℃ TA=70℃ PD 1.20 0.8 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 100 ℃/W |
同様の部品番号 - ST2318SRG |
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同様の説明 - ST2318SRG |
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