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BDX20 データシート(PDF) 2 Page - Comset Semiconductor |
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BDX20 データシート(HTML) 2 Page - Comset Semiconductor |
2 / 3 page PNP BDX20 08/11/2012 COMSET SEMICONDUCTORS 2 | 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25°C unless otherwise noted Symbol Ratings Test Condition(s) Min Typ Max Unit VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage (*) IC=-200 mA, IB=0 -140 - - V VCEX Collector-Emitter Breakdown Voltage (*) IC=-100 mA, VBE=1.5 V -160 - - V ICEX Collector Cutoff Current VCE=-140 V, VBE=1.5 V - - -1.0 mA VCE=-140 V, VBE=1.5 V TCASE=150°C - - -10 ICBO Collector-Base Cutoff Current VCB=-140 V, IE=0 - - -1.0 mA IEBO Emitter-Base Cutoff Current VBE=-7.0 V, IC=0 - - -5.0 mA h21E Static Forward Current Transfer Ratio (*) IC=-3 A, VCE=-4 V 20 - 70 - IC=10 A, VCE=-4 V - 10 - VCE(SAT) Collector-Emitter Saturation Voltage (*) IC=-3 A, IB=-0.3 A - - -1.0 V IC=-10 A, IB=-2 A - - -5.0 VBE Base-Emitter Voltage (*) IC=-3 A, VCE=-4 V - -1.7 - V IC=-10 A, VCE=-4 V - -5.7 - fT Transition Frequency VCE=-10 V, IC=-1 A f=1.0 MHz 4 - - MHz In accordance with JEDEC Registration Data (*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0% |
同様の部品番号 - BDX20_12 |
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同様の説明 - BDX20_12 |
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