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BC817K-40 データシート(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
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BC817K-40 データシート(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
6 / 11 page 2011-09-19 6 BC817K.../BC818K... Base-emitter saturation voltage IC = ƒ(VBEsat), hFE = 10 0 10 EHP00222 BC 817/818 BEsat V 2.0 V 4.0 -1 100 101 3 10 5 5 Ι C mA 5 2 10 1.0 3.0 ˚C -50 25 ˚C ˚C 150 Collector cutoff current ICBO = ƒ(TA) VCBO = 25 V 0 10 EHP00221 BC 817/818 A T 150 0 5 10 Ι CBO nA 50 100 1 10 2 10 4 10 ˚C typ max 103 Transition frequency fT = ƒ(IC) VCE = parameter in V, f = 2 GHz 10 EHP00218 BC 817/818 03 10 mA 1 10 3 10 5 5 10 1 10 2 10 2 C T f MHz Ι Collector-base capacitance Ccb = ƒ(VCB) Emitter-base capacitance Ceb = ƒ(VEB) BC817K, BC818K 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 VCB/VEB 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 pF 55 CCB CEB |
同様の部品番号 - BC817K-40 |
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同様の説明 - BC817K-40 |
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