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SIA450DJ-T1-GE3 データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SIA450DJ-T1-GE3 データシート(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 9 page www.vishay.com 4 Document Number: 73603 S-80436-Rev. C, 03-Mar-08 Vishay Siliconix SiA450DJ New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Soure-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 10 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 1 0.01 0.001 TJ = 150 °C TJ = 25 °C 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Temperature (°C) ID = 250 µA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 2 4 6 8 0246 8 10 TA = 25 °C TA = 125 °C ID = 0.70 A 0 5 10 15 20 25 30 Time (s) 10 1000 0.1 0.01 0.001 100 1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.1 1 100 0.01 0.1 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified 10 ms 100 ms DC 10 s 110 10 1 s Limited by RDS(on)* TA = 25 °C Single Pulse 0.001 1000 |
同様の部品番号 - SIA450DJ-T1-GE3 |
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同様の説明 - SIA450DJ-T1-GE3 |
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