IRF8301MTRPBF datasheet(8/10 Pages) IRF

部品番号	IRF8301MTRPBF

部品情報	DirectFETPower MOSFET

Download	10 Pages

Scroll/Zoom	100%

メーカー	IRF [International Rectifier]

ホームページ	http://www.irf.com

Logo

8 / 10 page

IRF8301MTRPbF

September 6, 2013

8

Fig 19.

Diode Reverse Recovery Test Circuit for HEXFET® Power MOSFETs

Circuit Layout Considerations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

P.W.

Period

di/dt

Diode Recovery

dv/dt

Ripple

≤ 5%

Body Diode

Forward Drop

Re-Applied

Voltage

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

VGS=10V

VDD

ISD

Driver Gate Drive

D.U.T. ISD Waveform

D.U.T. VDS Waveform

Inductor Curent

D =

P.W.

Period

*** VGS = 5V for Logic Level Devices

***

+

-

+

-

RG

VDD

• dv/dt controlled by RG

• Driver same type as D.U.T.

• ISD controlled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

D.U.T

**

*

* Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements

** Reverse Polarity for P-Channel

DirectFET Board Footprint, MT Outline

(Medium Size Can, T-Designation).

Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.

This includes all recommendations for stencil and substrate designs.

G = GATE

D = DRAIN

S = SOURCE

G

D

DD

D

S

Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/

同様の部品番号 - IRF8301MTRPBF

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRF8301MPBF	344Kb / 10P	Ultra-low Package Inductance
International Rectifier	IRF8301MPBF	344Kb / 10P	Ultra-low Package Inductance

More results

IRF8301MTRPBF データシート(PDF) 8 Page - International Rectifier

IRF8301MTRPBF データシート(HTML) 8 Page - International Rectifier

同様の部品番号 - IRF8301MTRPBF

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

データシートダウンロード

リンク URL

IRF8301MTRPBF データシート(PDF) 8 Page - International Rectifier

IRF8301MTRPBF データシート(HTML) 8 Page - International Rectifier

同様の部品番号 - IRF8301MTRPBF

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

データシート ダウンロード

リンク URL

データシートダウンロード