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BTB1498N3 データシート(PDF) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
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BTB1498N3 データシート(HTML) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
1 / 6 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C900N3 Issued Date : 2009.12.23 Revised Date : Page No. : 1/6 BTB1498N3 Preliminary CYStek Product Specification Quadruple High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor BTB1498N3 Description • High breakdown voltage. (BVCEO=-400V) • Low saturation voltage, typical VCE(sat) =-0.3V at Ic/IB =-20mA/-1mA. • Complementary to BTD2498N3 • Pb-free package Equivalent Circuit Outline BTB1498N3 SOT-23 B : Base C : Collector E : Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 °C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -400 V Collector-Emitter Voltage VCEO -400 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V Collector Current IC -300 mA Total Power Dissipation Pd 225 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 556 °C/W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg -55~+150 °C |
同様の部品番号 - BTB1498N3 |
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同様の説明 - BTB1498N3 |
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