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2SD2079 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD2079 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD2079 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=30mA ;IB=0 100 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=3A ;IB=6mA 1.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=20mA 2.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=3A ;IB=6mA 2.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=100V; IE=0 100 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 2.5 mA hFE-1 DC current gain IC=3A ; VCE=3V 2000 15000 hFE-2 DC current gain IC=5A ; VCE=3V 1000 Switching times ton Turn-on time 1.0 µs ts Storage time 4.0 µs tf Fall time IB1=-IB2=6mA VCCA30V ,RL=10B 2.5 µs |
同様の部品番号 - 2SD2079 |
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同様の説明 - 2SD2079 |
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