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2SC1115 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC1115 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1115 CHARACTERISTICS Tj=25? unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA ;IB=0 80 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=140V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 0.1 mA hFE DC current gain IC=3A ; VCE=4V 30 150 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=12V 10 MHz |
同様の部品番号 - 2SC1115 |
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同様の説明 - 2SC1115 |
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