データシートサーチシステム |
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2SD1457 データシート(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1457 データシート(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1457 2SD1457A CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2SD1457 150 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2SD1457A IC=2A ;L=10mH 200 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=0.1A ;IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A ;IB=60mA 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=3A ;IB=60mA 2.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=200V; IE=0 100 µA hFE DC current gain IC=2A ; VCE=2V 700 10000 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=10V;f=1MHz 15 MHz hFE Classifications Q P O 700-2500 2000-5000 4000-10000 |
同様の部品番号 - 2SD1457 |
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同様の説明 - 2SD1457 |
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