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BC640 データシート(PDF) 2 Page - Continental Device India Limited |
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BC640 データシート(HTML) 2 Page - Continental Device India Limited |
2 / 5 page SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC635, 637, 639 NPN BC636, 638, 640 PNP TO-92 Plastic Package ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION MAX UNIT DC Current Gain *hFE VCE=2V, IC=5mA VCE=2V, IC=150mA BC635/BC636 250 BC637/BC638 160 BC639/BC640 160 Group-10 160 Group-16 250 VCE=2V, IC=500mA DYNAMIC CHARACTERISTICS DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION UNIT Transistors Frequency fT IC=50mA, VCE=2V, f=100MHz NPN MHz PNP MHz Output Capacitance Cob IE=0, VCB=10V, f=1MHz NPN pF PNP pF Input Capacitance Cib VBE=0.5V, f=1MHz NPN pF PNP pF *Pulse Test: Pulse Width < 300 µµs, Duty Cycle 2% BC635_BC640Rev_4 030106E 110 9 7 50 For Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with "T" TYP 200 150 MIN 25 40 40 40 25 63 100 E C B Continental Device India Limited Data Sheet Page 2 of 5 |
同様の部品番号 - BC640 |
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