データシートサーチシステム |
|
2SK3262 データシート(PDF) 3 Page - Fuji Electric |
|
2SK3262 データシート(HTML) 3 Page - Fuji Electric |
3 / 4 page 3 2SK3262-01MR FUJI POWER MOSFET -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 50 100 150 200 250 300 max. typ. Drain-source on-state resistance RDS(on)=f(Tch):ID=10A,VGS=10V Tch [°C] -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Tch [°C] Gate Threshold Voltage vs. Tch VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA min. typ. max. 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 100p 1n 10n 100n Typical capacitances C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz VDS [V] Ciss Coss Crss 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 40V 100V Vcc=160V Typical Gate Charge Characteristics VGS=f(Qg):ID=20A,Tch=25°C 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 Qg [nC] VGS VDS 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 10 20 30 40 50 Typical Forward Characteristics of Reverse Diode -ID=f(VSD):80µs pulse test,Tch=25°C 10V VGS=0V VSD [V] 0 25 50 75 100 125 150 0 5 10 15 20 25 Maximum Avalanche Current vs. starting Tch I(AV)=f(starting Tch),Non Repetitive Starting Tch [°C] |
同様の部品番号 - 2SK3262 |
|
同様の説明 - 2SK3262 |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |